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雷擊浪涌抗擾度試驗?zāi)康氖墙⒁粋€共同的基準，以評價電氣和電子設(shè)備在遭受浪涌（沖擊）時的性能。浪涌（沖擊）抗擾度試驗所采用的國家標準為：GB/T17626.5-2008《電磁兼容 試驗和測量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗》它等同于國際標準：IEC61000-4-5:2005，標準中描述了兩種不同的波形發(fā)生器，一種是（電壓波形：1.2/50us，電流波形：8/20us）組合波發(fā)生器，另一種是符合國際電信聯(lián)盟委員會的要求（電壓波形：10/700us，電流波形：5/320us）組合波發(fā)生器。
為了真實模擬設(shè)備在實際運行中可能遇到的雷擊或開關(guān)切除瞬變造成的電壓或電流浪涌，評價電子電氣設(shè)備對雷擊浪涌的抗擾度水平，標準要求受試設(shè)備(EUT)要在規(guī)定的帶電(DC或AC供電電源)工作狀態(tài)下，用能產(chǎn)生1.2/50μs開路電壓波和8/20μs短路電流波的組合波信號發(fā)生器（雷擊浪涌發(fā)生器）進行雷擊浪涌抗擾度試驗，以檢驗設(shè)備在實際運行過程中的抗干擾能力。

雷擊浪涌抗擾度試驗波形

雷擊浪涌抗擾度試驗耦合去耦網(wǎng)絡(luò)作用
耦合網(wǎng)絡(luò)的作用是將組合波發(fā)生器(雷擊浪涌發(fā)生器)的浪涌信號傳送到EUT上，限制從電源線流入組合波發(fā)生器的電流對發(fā)生器本體造成破壞，減小對浪涌波形的影響。去耦網(wǎng)絡(luò)的作用是為浪涌波提供足夠的去耦阻抗，避免浪涌竄入電網(wǎng)對由同一電源供電的非受試設(shè)備產(chǎn)生不利影響。此外,連接到同一電源的其他設(shè)備可能含有防雷器件，在不使用去耦網(wǎng)絡(luò)的情況下，非受試設(shè)備上防雷器件會阻止EUT上浪涌的施加及影響浪涌試驗結(jié)果。
耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)(CDN)的結(jié)構(gòu)和電路參數(shù)的設(shè)計
耦合去耦網(wǎng)絡(luò)參數(shù)設(shè)計需考慮到功能的實現(xiàn)和參數(shù)的優(yōu)化研究。
1、耦合網(wǎng)絡(luò)
一般浪涌信號耦合到EUT上的方式有電容耦合和氣體放電管耦合，其中后者對組合波發(fā)生器的輸出波形影響較明顯，故前者較常見。若選用小的耦合電容值，則電源側(cè)殘余浪涌電壓較低，但產(chǎn)生沖擊電流的效率較低；若選用大的耦合電容值，則耦合到EUT效率較高,但殘余電壓較高。為兼顧輸出效率和殘余電壓問題，國家標準線—線耦合(差模方式)采用18μF的電容，線—地耦合(共模方式)采用9μF的電容[5,8,9]。低壓電網(wǎng)對地的源阻抗為12Ω，對于虛擬阻抗(定義為開路電壓峰值與短路電流峰值之比)為2Ω的組合波發(fā)生器，在進行線—地耦合時，要另外再串聯(lián)10Ω的附加電阻，以增加有效源阻抗。
2、去耦網(wǎng)絡(luò)
去耦網(wǎng)絡(luò)一般由去耦電感L和去耦電容C構(gòu)成的LC低通濾波器組成。為線—地和線—線去耦網(wǎng)絡(luò)的等效電路圖,Rs、R′s為浪涌電源的源阻抗,線—地情況下Rs=12Ω,線—線情況下R′電路的電壓傳輸函數(shù)分別為:s=2Ω。
去耦網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)選擇
去耦網(wǎng)絡(luò)中L、C參數(shù)的選擇與浪涌信號的頻率特性有關(guān)，IEC610002425:1995[7]及國家標準GB/T17626.521998[5]對去耦網(wǎng)絡(luò)的去耦性能規(guī)定“當受試設(shè)備沒有與去耦網(wǎng)絡(luò)連接時,在未加浪涌線路上的殘余浪涌電壓不應(yīng)超過*大所施加電壓的15%"，“當受試設(shè)備、供電網(wǎng)絡(luò)未與耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)連接時，在去耦網(wǎng)絡(luò)電源輸入端上的殘余浪涌電壓不應(yīng)超過所施加電壓的15%或電源電壓峰值的兩倍，兩者中取大者"。即標準要求去耦網(wǎng)絡(luò)對浪涌信號的衰減要≥16dB。

CWG2500雷擊浪涌測試儀

雷擊浪涌發(fā)生器（又叫雷擊浪涌模擬器、雷擊浪涌測試儀、浪涌測試儀），主要是模擬感應(yīng)雷對被檢驗設(shè)備比如機電及電子產(chǎn)品的干擾情況，以檢驗設(shè)備在實際運行過程中的抗干擾能力。其設(shè)計標準為IEC61000-4-5。

推薦型號：

雷擊/浪涌發(fā)生器

 CWG 520: 3x400V / 16A

 CWG 1500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV

 CWG 2500: 1.2/50 μs_8/20μs / 4.4kV / 觸摸屏

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